Как производят микросхемы 3D NAND

Производители памяти NAND вынуждены усложнять техпроцесс, чтобы угнаться за требованиями времени, продолжить миниатюризацию и улучшение технических характеристик. За последние 20 лет этот техпроцесс принципиально не менялся. Микросхемы изготавливались, условно говоря, в один слой. Похоже, что эпоха заканчивается. Сразу несколько производителей анонсировали 3D-память нового типа, которая гораздо сложнее в производстве.

Например, Samsung анонсировала начало массового производства 24-слойных микросхем V-NAND ещё в августе 2013 года, но до сих пор так и не начала отгрузку продукции, хотя прошёл уже почти год! Если компания в августе прошлого года объявила, что сумела поставить на конвейер эти чипы, но до сих пор не показала результат, то можно предположить очень большой процент брака в готовой продукции.

У других производителей ситуация ещё хуже, по крайней мере, они не продвинулись даже до этапа анонса массового производства. Говорят, что первые экспериментальные образцы мы увидим не раньше 2015 года.

Разработчик систем трёхмерного моделирования и компьютерной симуляции для технологий микро- и наносборки Coventor опубликовал анимированный ролик (2 мин, без звука), в котором показывает исключительно сложный алгоритм производства многослойных микросхем флэш-памяти Toshiba BiCS. Этот техпроцесс во многом схож с производством вышеупомянутой памяти Samsung TCAT или V-NAND 3D NAND.

Видеофайл в формате mp4, 4 МБ

Подробнее о техпроцессе производства многослойных NAND см. в научных работах: